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IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES

來(lái)源： 樹(shù)人論文網(wǎng) 瀏覽次數(shù)：331次
所屬分區(qū)：3區(qū)
周期：Monthly
ISSN：0018-9383
影響因子：2.704
是否開(kāi)源：No
年文章量：759
錄用比：較易
學(xué)科方向：工程：電子與電氣
研究方向：工程技術(shù)
通訊地址：IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141
官網(wǎng)地址：http://ieeexplore.ieee.org/xpl/RecentIssue.jsp?punumber=16
投稿地址：https://mc.manuscriptcentral.com/ted
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IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES雜志中文介紹

IEEE《電子器件學(xué)報(bào)》發(fā)表了有關(guān)電子和離子集成電路器件和互連的理論、建模、設(shè)計(jì)、性能和可靠性方面的原創(chuàng)和重大貢獻(xiàn)。

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES雜志英文介紹

IEEE Transactions on Electron Devices publishes original and significant contributions relating to the theory, modeling, design, performance and reliability of electron and ion integrated circuit devices and interconnects.

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES影響因子

工程：電子與電氣領(lǐng)域相關(guān)期刊
    暫時(shí)沒(méi)有數(shù)據(jù)